開(kāi)關(guān)電源元器件的制造

開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體器件的制造涉及到了測(cè)量?jī)H幾納米的結(jié)構(gòu)。

如果開(kāi)關(guān)電源裸片的尺寸變大，那么隨機(jī)失效的可能性就會(huì)增加。對(duì)于一個(gè)成熟的工藝節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)率可能會(huì)在80%到90%之間。然而，對(duì)于一個(gè)比較新的節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)率可能大大地低于50%，盡管它的實(shí)際數(shù)字是嚴(yán)格保密的。

“ 即便開(kāi)關(guān)電源裸片沒(méi)有受到一個(gè)災(zāi)難性的影響，但是也不能被認(rèn)為它是可操作的。制造步驟如果不完善，哪怕是一個(gè)原子的工藝變化也會(huì)產(chǎn)生非常顯著的差異。雖然這可能不會(huì)對(duì)這個(gè)設(shè)計(jì)的某些部分產(chǎn)生影響，但如果工藝的變化恰好和關(guān)鍵時(shí)序路徑是吻合的，就可能會(huì)讓開(kāi)關(guān)電源器件不符合需要的規(guī)格。”

隨著開(kāi)關(guān)電源元器件設(shè)計(jì)逐漸的演變成了采取先進(jìn)封裝的深亞微米技術(shù)之后，現(xiàn)有的仿真工具以及設(shè)計(jì)方法無(wú)法很好地反映出變化以及它對(duì)于可靠性的影響。這將會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源元器件設(shè)計(jì)的流程出現(xiàn)漏洞，從而導(dǎo)致了一些失敗。開(kāi)關(guān)電源元器件設(shè)計(jì)流程越來(lái)越多地被允許在開(kāi)發(fā)早期就考慮到了變化，以其最大限度地減少它的影響，而冗余等設(shè)計(jì)技術(shù)則可以減少一些需要丟棄的“幾乎可以工作”的芯片的數(shù)量。

開(kāi)關(guān)電源ESD保護(hù)

通常來(lái)說(shuō)，芯片會(huì)包含開(kāi)關(guān)電源ESD保護(hù)，如果我們給芯片的外部施加0.5V的電壓，那么在1nm的介質(zhì)上就會(huì)產(chǎn)生0.5mV/m的電場(chǎng)。這足以導(dǎo)致高壓電弧。對(duì)于封裝之內(nèi)的單個(gè)裸片，他們的目標(biāo)則是2kJ這樣子的標(biāo)準(zhǔn)。

“ 如果你試圖最小化ESD，甚至在這些Wide I/O接口或者是任何類型的多芯片接口通道的上面消除它，這就意味著你無(wú)法按照你針對(duì)單芯片的相同標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于每一個(gè)芯片都進(jìn)行一個(gè)真正的測(cè)試。它們必須要經(jīng)過(guò)一個(gè)更加專業(yè)的測(cè)試，因?yàn)樗鼈兊?/span>ESD保護(hù)非常小，或者可能會(huì)沒(méi)有開(kāi)關(guān)電源ESD保護(hù)?！?/span>

即便是在運(yùn)行期間，ESD事件也有可能導(dǎo)致問(wèn)題。在便攜式的電子產(chǎn)品之中，ESD它可以導(dǎo)致許多類型的一個(gè)軟錯(cuò)誤。在ESD事件期間，電源供電網(wǎng)絡(luò)之上可能會(huì)引起噪聲，這個(gè)原因在于某一些IC(比如開(kāi)關(guān)電源振蕩器IC、開(kāi)關(guān)電源CPU以及其他IC)的靈敏度，或者是PDN的場(chǎng)耦合。